SIHJ10N60E-T1-GE3

REMARK: સક્રિય-સેમી SIHJ10N60E-T1-GE3 chipnets.com પર ઉપલબ્ધ છે. અમે ફક્ત નવા અને મૂળ ભાગનું વેચાણ કરીએ છીએ અને 1 વર્ષની વોરંટી સમય ઓફર કરીએ છીએ. જો તમે ઉત્પાદનો વિશે વધુ જાણવા માંગતા હો અથવા વધુ સારી કિંમત લાગુ કરવા માંગતા હો, તો કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો ઓનલાઈન ચેટ પર ક્લિક કરો અથવા અમને ક્વોટ મોકલો.

બધા ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઘટકો ESD એન્ટિસ્ટેટિક પ્રોટેક્શન દ્વારા ખૂબ જ સુરક્ષિત રીતે પેકિંગ કરવામાં આવશે.

package

સ્પષ્ટીકરણ

પ્રકાર	વર્ણન
શ્રેણી	E
પેકેજ	Tube
ભાગની સ્થિતિ	Active
એફઇટી પ્રકાર	N-Channel
ટેકનોલોજી	MOSFET (Metal Oxide)
સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો	600 V
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે	10A (Tc)
ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ)	10V
આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.	360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી	4.5V @ 250µA
ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (મહત્તમ)	±30V
ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ	784 pF @ 100 V
FET લક્ષણ	-
પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ)	89W (Tc)
સંચાલન તાપમાન	-55°C ~ 150°C (TJ)
માઉન્ટિંગ પ્રકાર	Surface Mount
સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ	PowerPAK® SO-8
પેકેજ / કેસ	8-PowerTDFN

ખરીદીના વિકલ્પો

સ્ટોક સ્થિતિ: 1535

ન્યૂનતમ: 1

જથ્થો	એકમ કિંમત	એક્સ્ટ. કિંમત
કિંમત ઉપલબ્ધ નથી, કૃપા કરીને RFQ

નૂર ગણતરી

FedEx દ્વારા US $40.

3-5 દિવસમાં આવો

એક્સપ્રેસ:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)150$થી વધુના ઓર્ડર માટે પ્રથમ 0.5kg પર મફત શિપિંગ,વધુ વજન અલગથી વસૂલવામાં આવશે

લોકપ્રિય મોડલ્સ

આ આઇટમ તમારા કાર્ટમાં ઉમેરવામાં આવી છે.