Rectron USA / RM4N650T2
છબી સંદર્ભ માટે છે, વાસ્તવિક ચિત્ર મેળવવા માટે કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો
RM4N650T2
| ઉત્પાદક ભાગ નંબર: | RM4N650T2 |
| ઉત્પાદક: | Rectron USA |
| વર્ણનનો ભાગ: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3 |
| લીડ ફ્રી સ્ટેટસ / RoHS સ્ટેટસ: | લીડ ફ્રી / RoHS સુસંગત |
| સ્ટોક સ્થિતિ: | ઉપલબ્ધ છે |
| માંથી જહાજ: | Hong Kong |
| શિપમેન્ટ વે: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- સક્રિય-સેમી RM4N650T2 chipnets.com પર ઉપલબ્ધ છે. અમે ફક્ત નવા અને મૂળ ભાગનું વેચાણ કરીએ છીએ અને 1 વર્ષની વોરંટી સમય ઓફર કરીએ છીએ. જો તમે ઉત્પાદનો વિશે વધુ જાણવા માંગતા હો અથવા વધુ સારી કિંમત લાગુ કરવા માંગતા હો, તો કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો ઓનલાઈન ચેટ પર ક્લિક કરો અથવા અમને ક્વોટ મોકલો.
બધા ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઘટકો ESD એન્ટિસ્ટેટિક પ્રોટેક્શન દ્વારા ખૂબ જ સુરક્ષિત રીતે પેકિંગ કરવામાં આવશે.
સ્પષ્ટીકરણ
| પ્રકાર | વર્ણન |
|---|---|
| શ્રેણી | - |
| પેકેજ | Tube |
| ભાગની સ્થિતિ | Active |
| એફઇટી પ્રકાર | N-Channel |
| ટેકનોલોજી | MOSFET (Metal Oxide) |
| સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 650 V |
| વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 4A (Tc) |
| ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 10V |
| આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 3.5V @ 250µA |
| ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | - |
| Vgs (મહત્તમ) | ±30V |
| ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 280 pF @ 50 V |
| FET લક્ષણ | - |
| પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 46W (Tc) |
| સંચાલન તાપમાન | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Through Hole |
| સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | TO-220-3 |
| પેકેજ / કેસ | TO-220-3 |
સ્ટોક સ્થિતિ: તે જ દિવસે શિપિંગ
ન્યૂનતમ: 1
| જથ્થો | એકમ કિંમત | એક્સ્ટ. કિંમત |
|---|---|---|
કિંમત ઉપલબ્ધ નથી, કૃપા કરીને RFQ |
||
નૂર ગણતરી
FedEx દ્વારા US $40.
3-5 દિવસમાં આવો
એક્સપ્રેસ:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)150$થી વધુના ઓર્ડર માટે પ્રથમ 0.5kg પર મફત શિપિંગ,વધુ વજન અલગથી વસૂલવામાં આવશે
કાર્ટમાં ઉમેર્યું!
આ આઇટમ તમારા કાર્ટમાં ઉમેરવામાં આવી છે.