TPN4R712MD,L1Q

ઉત્પાદક ભાગ નંબર:	TPN4R712MD,L1Q
ઉત્પાદક:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
વર્ણનનો ભાગ:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
માહિતી પત્ર:	TPN4R712MD,L1Q માહિતી પત્ર
લીડ ફ્રી સ્ટેટસ / RoHS સ્ટેટસ:	લીડ ફ્રી / RoHS સુસંગત
સ્ટોક સ્થિતિ:	ઉપલબ્ધ છે
માંથી જહાજ:	Hong Kong
શિપમેન્ટ વે:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: સક્રિય-સેમી TPN4R712MD,L1Q chipnets.com પર ઉપલબ્ધ છે. અમે ફક્ત નવા અને મૂળ ભાગનું વેચાણ કરીએ છીએ અને 1 વર્ષની વોરંટી સમય ઓફર કરીએ છીએ. જો તમે ઉત્પાદનો વિશે વધુ જાણવા માંગતા હો અથવા વધુ સારી કિંમત લાગુ કરવા માંગતા હો, તો કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો ઓનલાઈન ચેટ પર ક્લિક કરો અથવા અમને ક્વોટ મોકલો.

બધા ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઘટકો ESD એન્ટિસ્ટેટિક પ્રોટેક્શન દ્વારા ખૂબ જ સુરક્ષિત રીતે પેકિંગ કરવામાં આવશે.

package

સ્પષ્ટીકરણ

પ્રકાર	વર્ણન
શ્રેણી	U-MOSVI
પેકેજ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ભાગની સ્થિતિ	Active
એફઇટી પ્રકાર	P-Channel
ટેકનોલોજી	MOSFET (Metal Oxide)
સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો	20 V
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે	36A (Tc)
ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ)	2.5V, 4.5V
આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી	1.2V @ 1mA
ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (મહત્તમ)	±12V
ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ	4300 pF @ 10 V
FET લક્ષણ	-
પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ)	42W (Tc)
સંચાલન તાપમાન	150°C (TJ)
માઉન્ટિંગ પ્રકાર	Surface Mount
સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
પેકેજ / કેસ	8-PowerVDFN

ખરીદીના વિકલ્પો

સ્ટોક સ્થિતિ: 6602

ન્યૂનતમ: 1

જથ્થો	એકમ કિંમત	એક્સ્ટ. કિંમત
કિંમત ઉપલબ્ધ નથી, કૃપા કરીને RFQ

નૂર ગણતરી

FedEx દ્વારા US $40.

3-5 દિવસમાં આવો

એક્સપ્રેસ:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)150$થી વધુના ઓર્ડર માટે પ્રથમ 0.5kg પર મફત શિપિંગ,વધુ વજન અલગથી વસૂલવામાં આવશે

લોકપ્રિય મોડલ્સ

	TPN4R203NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R712MD,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R303NL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R806PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

આ આઇટમ તમારા કાર્ટમાં ઉમેરવામાં આવી છે.